技術(shù)編號:9448132
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。氧化鎵(β -Ga2O3)晶體屬于直接寬禁帶氧化物半導(dǎo)體材料,其禁帶寬度為4.5?4.9eV,大于氮化鎵(GaN3.4eV)和氧化鋅(ZnO3.3eV),可見光波段透過率大于80%,最短透過波長為260nm,基于高亮度LED對襯底材料的性能要求,其透光性堪與藍寶石(Al2O3)相媲美。氧化鎵(β-Ga2O3)作為η型半導(dǎo)體,在導(dǎo)電性方面與碳化娃(SiC)頗為相似。該材料兼具藍寶石突出的透光性與碳化硅優(yōu)良的導(dǎo)電性,且能夠通過熔體法進行大尺寸單晶生長,具有較強...
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