技術(shù)編號(hào)：8927108
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。專利說(shuō)明對(duì)氧化物蝕刻劑中氣化氨水平的改良的控制 發(fā)明背景 本發(fā)明大體上設(shè)及用于檢測(cè)、鑒定W及測(cè)量用于微電子部件的制造的氧化物蝕刻 劑樣品中的氣化氨化巧的精確量的物質(zhì)組合物、設(shè)備W及方法。 如例如美國(guó)專利7, 928, 368、6, 849, 463W及8, 222, 079中所描述的，在微電子部 件的制造中，蝕刻那些部件的晶圓基底是相當(dāng)普遍的。蝕刻是從晶圓、尤其是從其表面除去 含娃的基底材料的過(guò)程。蝕刻通常設(shè)及從晶圓除去離散量的娃（或其他）材料W暴露在晶 ...
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