技術(shù)編號：8429896
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。在現(xiàn)有的陣列基板中，像素電極都是與薄膜晶體管的漏電極連接。以圖1所示的底柵型陣列基板為例，襯底基板I上的薄膜晶體管包括柵電極2、源電極5、漏電極6以及連接源電極5和漏電極6的有源層4。陣列基板的像素電極8通過鈍化層7的過孔與漏電極6連接。通過圖1可以看出，現(xiàn)有技術(shù)中的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)是由源電極5、有源層4和漏電極6平鋪而成的，因此占據(jù)著非常大的面積(即圖1中的a區(qū)域)。在陣列基板上，陣列基板的開口率主要就是由薄膜晶體管的面積大小所決定的，因此現(xiàn)有薄膜晶體管結(jié)...
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