技術(shù)編號(hào):8127629
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。技術(shù)領(lǐng)域本實(shí)用新型屬半導(dǎo)體材料制備設(shè)備領(lǐng)域,特別涉及一種新型籽晶 夾頭。 背景技術(shù)鍺是元素半導(dǎo)體,具有高折射率、低色散、易加工、良好的機(jī)械強(qiáng)度等優(yōu)點(diǎn),因而廣泛應(yīng)用于紅外光學(xué)材料領(lǐng)域。在最近10年時(shí)間,航天技術(shù)化的飛速發(fā)展,對(duì)空間太陽(yáng)電池提出了更高的要求。和傳統(tǒng) 的硅太陽(yáng)電池相比,砷化鎵太陽(yáng)電池具有高轉(zhuǎn)換效率、耐輻射、溫度 特型號(hào)和壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn),為提高轉(zhuǎn)換效率,滿足空間使用要求,對(duì)襯 底鍺片提出更高要求,要求大尺寸,低位錯(cuò)密度。高摻雜,高機(jī)械強(qiáng) 度等。因而,鍺材料在半導(dǎo)體領(lǐng)域的應(yīng)用在逐漸擴(kuò)大。在鍺單晶和鍺多晶生長(zhǎng)需要...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。