技術(shù)編號：7243911
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及，包括提供SOI襯底，所述襯底從下往上依次包括支撐襯底、絕緣氧化物埋層以及半導(dǎo)體材料層；在所述SOI襯底上沉積絕緣材料層；蝕刻所述絕緣材料層和所述半導(dǎo)體材料層，以露出所述絕緣氧化物埋層；至少蝕刻部分所述絕緣氧化物埋層，形成硅通孔；至少在所述硅通孔中所露出的半導(dǎo)體材料層的側(cè)面以及所述硅通孔的底部形成絕緣介質(zhì)層；在所述硅通孔中形成阻擋層然后填充電傳導(dǎo)材料；將所述SOI襯底的正面與支撐載具鍵合；蝕刻去除所述支撐襯底；去除所述硅通孔底部上的所述絕緣介質(zhì)層...
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