技術編號：7225198
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及具備活性層的氮化物半導體發(fā)光元件，該活性層具有量子阱結構且由阱層包含有In的氮化物構成。 背景技術近年來，以向高密度光盤記錄等應用等為目的而在努力開發(fā)短波長半導 體激光器。短波半導體激光器使用包含GaN、 AlGaN、 InGaN、 InGaAlN、 GaPN等氮的六方晶化合物半導體(以下單叫做氮化物半導體)。且使用氮化 物半導體的LED也在開發(fā)。在上述氮化物半導體發(fā)光元件中MIS結構的發(fā)光元件被使用，但由于 是層合高阻抗i型的GaN類半導體，所...
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