技術(shù)編號(hào)：7222306
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明大體上涉及一種局部化絕緣體上硅("sor)半導(dǎo)體設(shè)計(jì)，且更具體地說，涉及在動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器("DRAM")陣列中形成局部氧化物。技術(shù)背景使用絕緣體上硅或SOI襯底通常能夠在絕緣體(例如氧化物)上方制造典型的電路 元件。在一種應(yīng)用中，可在SOI上形成無電容器DRAM。使用SOI設(shè)計(jì)與傳統(tǒng)硅襯底相 比增加了針對(duì)這些無電容器DRAM的存取晶體管的浮體效應(yīng)，從而產(chǎn)生遠(yuǎn)為更有效的存 儲(chǔ)。在此類DRAM中編程浮體可通過碰撞電離("II")或通過柵極引發(fā)漏極泄漏...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。