技術(shù)編號：7209888
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。在各種實施例中，本發(fā)明大體來說涉及用于在共用襯底上制作存儲器單元及邏輯裝置的方法。更具體來說，本發(fā)明的實施例包含一種制作方法，其中在襯底的作用表面上形成邏輯裝置，在所述邏輯裝置上方形成半導(dǎo)體材料，且在所述半導(dǎo)體材料上形成所謂的 “無電容器”存儲器單元。另外，本發(fā)明的實施例包括集成電路，其中至少一個無電容器存儲器單元位于邏輯裝置上方，而且存儲器單元的多層級陣列位于包括邏輯的襯底上方。背景技術(shù)組件的較高性能、較低成本、增加的小型化及半導(dǎo)體裝置的較大封裝密度正成...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。