技術(shù)編號(hào)：7194105
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種CSLIC1B01集成電路。背景技術(shù) DMOS管電路是高壓集成電路管件之一，屬于一種微電子電路，該電路被廣泛應(yīng)用于通信領(lǐng)域。DMOS管件可以有很短的溝道，且可以不依靠光刻掩模工藝技術(shù)來決定溝道長度。這種結(jié)構(gòu)由于有重?fù)诫s屏蔽區(qū)，而使穿通能夠得到很好的控制。輕摻雜漂移區(qū)通過采取保持均勻電場(chǎng)，實(shí)現(xiàn)速度飽和，使得該區(qū)的電壓降減至最小。漏區(qū)附近的電場(chǎng)與漂移區(qū)電場(chǎng)相同，所以比起常規(guī)的各種MOSFET和HMOS，其雪崩擊穿，倍增和氧化物充電均減弱了。因此它...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。