技術(shù)編號：7180831
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造，特別涉及一種。 背景技術(shù)隨著集成電路的制作向超大規(guī)模集成電路發(fā)展，集成電路內(nèi)部的電路密度越來越 大，所包含的元件數(shù)量也越來越多，所述元件需要通過金屬互連線或金屬互連插塞導(dǎo)電互 連。在半導(dǎo)體器件的應(yīng)用中，DMOS晶體管由于具有很多優(yōu)點，包括高電流驅(qū)動能力、低 導(dǎo)通電阻和高擊穿電壓等，因此得到較廣泛的應(yīng)用。DMOS主要有兩種類型，垂直雙擴散金 屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(verticaldouble-diffused MOSFET，簡稱VDM...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。