技術(shù)編號：7123605

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本發(fā)明涉及集成半導(dǎo)體電路的制造方法。具體地，本發(fā)明涉及淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的制造方法。背景技術(shù)在高密度封裝集成電路制造技術(shù)中，圍繞有源器件制造淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)(STI)是防止載板從基板穿透到相鄰器件的有效方法。形成STI結(jié)構(gòu)的常用工藝如圖1所示。在圖1A中，墊氧化物層12和氮化硅層14依次形成在半導(dǎo)體基板10的頂部。在圖1B中，通過對覆蓋層12、14和半導(dǎo)體基板10的光致成像掩膜工藝以及非等向性蝕刻形成一淺溝槽16。在圖1C中，通過熱氧化在裸露的硅基板上形成一薄的...
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