技術(shù)編號(hào)：7054413
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體器件制造領(lǐng)域，尤其涉及一種IGBT器件制備方法及IGBT器件，基于傳統(tǒng)制備IGBT器件工藝的基礎(chǔ)上，通過先進(jìn)行襯底背面離子注入工藝并退火后，再對(duì)襯底進(jìn)行正面金屬化工藝，并利用lift-off的剝離方式制備正面金屬層，有效的避免傳統(tǒng)的襯底正面金屬化的光刻腐蝕工藝，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)單實(shí)用的背面注入后的薄片高溫退火工藝，在滿足工藝需求的同時(shí)，還大大的降低了制備IGBT器件的工藝成本。專利說明 [0001] 本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件制造領(lǐng)域，尤其涉及一...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。