技術(shù)編號(hào):7054409
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本申請(qǐng)涉及一種用于改進(jìn)的柵極間隔件控制的利用多層外延硬掩膜的CMOS制造方法。可以通過(guò)形成雙層硬掩膜來(lái)形成包含PMOS晶體管的集成電路。硬掩膜的第一層是使用烴類(lèi)反應(yīng)物形成的含碳氮化硅。硬掩膜的第二層是使用氯化硅烷反應(yīng)物在第一層上形成的含氯氮化硅。在形成SiGe外延源/漏區(qū)域之后,使用濕法蝕刻去除硬掩膜,所述濕法蝕刻以比第一層快至少三倍的速率去除第二層。專(zhuān)利說(shuō)明用于改進(jìn)的柵極間隔件控制的利用多層外延硬掩膜的CMOS制造方法 [0001]本發(fā)明涉及集成電...
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