技術(shù)編號(hào)：7047313
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明公開了一種抗電勢(shì)誘發(fā)衰減的晶體硅電池，包括依次覆蓋于硅襯底上的非晶硅層、起鈍化作用的富Si氮化硅層和起減反射作用的富N氮化硅層。本發(fā)明主要對(duì)電池的減反射層結(jié)構(gòu)進(jìn)行改進(jìn)，在傳統(tǒng)的單層或多層氮化硅與晶硅襯底之間采用PECVD的方法淀積一層致密的非晶硅，這層致密的非晶硅可以阻擋正離子對(duì)PN結(jié)的侵蝕，從而減小PID效應(yīng)的影響。本發(fā)明僅需在現(xiàn)有設(shè)備上對(duì)工藝做簡(jiǎn)單改動(dòng)即可實(shí)現(xiàn)，與現(xiàn)有工藝兼容，方法簡(jiǎn)單，成本低廉。專利說明[0001]本發(fā)明涉及晶體硅太陽能電池領(lǐng)域...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。