技術(shù)編號：7046199
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。一種SOI橫向功率MOSFET器件，屬于功率半導(dǎo)體器件。本發(fā)明在漂移區(qū)引入介質(zhì)槽，槽內(nèi)填充兩種或兩種以上的介質(zhì)材料，且介質(zhì)材料的介電系數(shù)低于有源層的介電常數(shù)，同時(shí)介電系數(shù)自下而上逐漸遞減；介質(zhì)槽靠近體區(qū)一側(cè)具有體區(qū)縱向延伸結(jié)構(gòu)；介質(zhì)槽與介質(zhì)埋層之間具有與漂移區(qū)摻雜類型相反的半導(dǎo)體埋層。變k介質(zhì)材料填充的介質(zhì)槽對有源層內(nèi)電場的調(diào)制作用和縱向折疊漂移區(qū)的作用使得器件耐壓大大提高并縮小器件橫向尺寸；體區(qū)縱向延伸結(jié)構(gòu)和半導(dǎo)體埋層結(jié)構(gòu)的引入進(jìn)一步提高了器件耐壓，而且...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。