技術(shù)編號(hào):7036459
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。一種器件包括絕緣體上半導(dǎo)體(SOI)襯底(110)。SOI襯底(110)上的柵極疊層包括柵極電介質(zhì)層(185)和柵極導(dǎo)體層(190)。低k間隔物(175)鄰近于柵極電介質(zhì)層(185)。凸起源極/漏極(RSD)區(qū)域(160)鄰近于低k間隔物(175)。低k間隔物(175)嵌入RSD區(qū)域(160)上的層間電介質(zhì)(ILD)層(165)中。專利說明具有低K間隔物的半導(dǎo)體器件及其形成方法 [0001]本發(fā)明通常涉及半導(dǎo)體器件及其制造方法,并且更具體地涉及用于制...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。