技術(shù)編號：7029301
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及包括具有高擊穿電壓的LOCOS偏置類型場效應(yīng)晶體 管的。背景技術(shù)目前存在來自市場的對于用于控制電源電壓以便提供預(yù)定電壓 水平輸出的ic (如電壓調(diào)節(jié)器和開關(guān)調(diào)節(jié)器)的各種需求。例如， 出現(xiàn)對于甚至在50 V或更高的電壓范圍內(nèi)確保正常操作的IC的需 求。具有高擊穿電壓的IC中使用的場效應(yīng)晶體管(以下稱作MOS晶體 管)包括具有L0C0S偏置漏結(jié)構(gòu)的MOS晶體管(以下稱作LOCOS偏置 MOS晶體管)，它是具有高擊穿電壓的常規(guī)平面MOS晶體管。圖5示...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。