技術(shù)編號：6955394

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本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，特別涉及一種具有新穎金屬柵極堆疊結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體 結(jié)構(gòu)及其制造方法。背景技術(shù)當一例如一金屬氧化物半導(dǎo)體場效晶體管(MOSFET)的半導(dǎo)體元件借由不同技術(shù) 微縮時，高介電常數(shù)介電材料與金屬適合用來形成一柵極堆疊。然而，于形成η型金屬氧化 物半導(dǎo)體(nMOS)晶體管與ρ型金屬氧化物半導(dǎo)體(pMOS)晶體管金屬柵極堆疊的方法中， 當整合工藝與材料時，會產(chǎn)生不同問題。例如當一 P型金屬氧化物半導(dǎo)體(PMOS)晶體管的 P型金屬柵極暴露于一移除...
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