技術編號：6955380
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明大體涉及集成電路，且更特別涉及半導體鰭狀物與鰭式場效應晶體管(Fin field-effect transistor, FinFET)及其形成方法。背景技術隨著增加集成電路的縮小尺寸與增加對集成電路速度的高要求，晶體管必須具有 較高的驅動電流與越來越小的尺寸。鰭式場效應晶體管(Finfield-effect transistor, FinFET)因此被發(fā)展。圖1顯示一常見鰭式場效應晶體管的剖面圖，其中該剖面圖由橫 跨鰭狀物而非源極與漏極區(qū)來制作。將鰭...
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