技術(shù)編號(hào)：6940044
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件制造方法，具體地說，涉及可改善器件穩(wěn)定性的多層銅互 連結(jié)構(gòu)的形成方法。本發(fā)明還涉及用于實(shí)施該方法的CMP設(shè)備。背景技術(shù)隨著集成電路制造工藝的發(fā)展，對于半導(dǎo)體器件的集成密度的要求日益增高。隨 著上個(gè)世紀(jì)70年代將多層金屬化技術(shù)引入到集成電路制造工藝中，半導(dǎo)體晶片的垂直空 間得到了有效的利用，并顯著提高了器件的集成度。金屬化是芯片制造過程中在絕緣介質(zhì) 薄膜上淀積金屬薄膜以及隨后刻印圖形以便形成互連金屬線和集成電路的孔填充塞的過 程。對于例如...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。