技術(shù)編號(hào)：6940039
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制程，尤其涉及存儲(chǔ)器柵極結(jié)構(gòu)的制造方法。 背景技術(shù)隨著超大規(guī)模集成電路工藝的發(fā)展，半導(dǎo)體工藝現(xiàn)已經(jīng)進(jìn)入了超深亞微米時(shí)代。 工藝的發(fā)展使得將包括處理器、存儲(chǔ)器、模擬電路、接口邏輯甚至射頻電路集成到一個(gè)大規(guī) 模的芯片上，形成所謂的SoC (片上系統(tǒng))。作為SoC重要組成部分的嵌入式存儲(chǔ)器，在SoC 中所占的比重逐漸增大。用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器分為易失性存儲(chǔ)器和非易失性存儲(chǔ) 器(NVM)，易失性存儲(chǔ)器在電源中斷時(shí)不保存其數(shù)據(jù)，而非易失性存儲(chǔ)器...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。