技術編號：6936467
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明屬于電子材料，涉及半導體光電薄膜及紅外光電探測器，具體是 指采用化學浴沉積法制備用于近紅外光電探測器的(200)擇優(yōu)取向的硫化鉛薄膜的方法。背景技術硫化鉛是一種重要的窄禁帶半導體材料，在300K時其能帶間隙為0. 41eV，同時具 有較大的激子波爾半徑(18nm)，這些性質(zhì)使硫化鉛半導體薄膜在紅外技術上具有重要和廣 泛的應用。在1 3iim波段，硫化鉛紅外探測器是紅外整機系統(tǒng)的核心器件，用于紅外探 測、跟蹤、導航、非接觸引信及方位觀測系統(tǒng)，并廣泛應用...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權(quán)，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。