技術(shù)編號(hào):6931385
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及CMOS集成電路,尤其涉及一種新型的抗總劑量輻照的CMOS集成電路, 屬于電子。背景技術(shù)集成電路技術(shù)正越來越廣泛的被應(yīng)用于航天、軍事、核電和高能物理等與總劑量輻照 相關(guān)的行業(yè)中。而且隨著集成電路集成度的不斷提高,半導(dǎo)體器件的尺寸日益減小,淺槽 隔離技術(shù)正以其優(yōu)良的器件隔離性能成為集成電路中器件之間電學(xué)隔離的主流技術(shù)。但是 由于總劑量輻照粒子對(duì)于器件中二氧化硅氧化層的損傷,會(huì)在淺槽隔離結(jié)構(gòu)的氧化層內(nèi)產(chǎn) 生大量的固定正電荷。在NMOS器件中,這些固定...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。