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一種新型的抗總劑量輻照的cmos集成電路的制作方法技術(shù)資料下載

技術(shù)編號(hào):6931385

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本發(fā)明涉及CMOS集成電路,尤其涉及一種新型的抗總劑量輻照的CMOS集成電路, 屬于電子。背景技術(shù)集成電路技術(shù)正越來越廣泛的被應(yīng)用于航天、軍事、核電和高能物理等與總劑量輻照 相關(guān)的行業(yè)中。而且隨著集成電路集成度的不斷提高,半導(dǎo)體器件的尺寸日益減小,淺槽 隔離技術(shù)正以其優(yōu)良的器件隔離性能成為集成電路中器件之間電學(xué)隔離的主流技術(shù)。但是 由于總劑量輻照粒子對(duì)于器件中二氧化硅氧化層的損傷,會(huì)在淺槽隔離結(jié)構(gòu)的氧化層內(nèi)產(chǎn) 生大量的固定正電荷。在NMOS器件中,這些固定...
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