技術(shù)編號：6926921

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本發(fā)明涉及薄膜磁性存儲裝置，具體涉及設(shè)有帶磁隧道結(jié)(MTJMagnetic Tunnel Junction)的存儲單元的隨機(jī)存取存儲器。尤其近年來有報導(dǎo)稱，通過使用以利用磁隧道結(jié)(MTJMagneticTunnel Junction)的薄膜磁性體作為存儲單元，使MRAM裝置的性能取得了長足的進(jìn)步。關(guān)于包含帶磁隧道結(jié)存儲單元的MRAM裝置，公開了諸如“一種采用磁隧道結(jié)與各單元FET開關(guān)的10納秒讀寫非易失存儲陣列”(ISSCC Digest of Techn...
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