技術(shù)編號:6922359
提示:您尚未登錄,請點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及具有絕緣體上硅(SOI)結(jié)構(gòu)的襯底,其中通過薄化結(jié)晶半導(dǎo)體襯底所形成的結(jié)晶半導(dǎo)體層接合到不同類型的襯底。具體來說,本發(fā)明涉及使用接合的SOI技術(shù)以及SOI襯底的制造方法,其中單晶半導(dǎo)體層接合到具有絕緣表面、如玻璃的襯底。此外,本發(fā)明涉及使用具有這種SOI結(jié)構(gòu)的襯底所形成的顯示器件和半導(dǎo)體器件。背景技術(shù)已經(jīng)研制稱作絕緣體上硅的半導(dǎo)體襯底(SOI村底)來代替對單晶半導(dǎo)體晶錠切薄片而形成的硅晶圓,并且半導(dǎo)體襯底各具有在具有絕緣表面的襯底之上的薄單晶半導(dǎo)...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識儲備,不適合論文引用。