技術編號：6904308
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及。 背景技術近年來，隨著半導體集成電路(以下記為LSI)的高集成化、高性能化， 開發(fā)出了新的微細加工技術。化學機械研磨(以下記述CMP)法就是其中之 一，它是一種在LSI制造工序，特別是在多層配線形成工序的層間絕緣膜的 平坦化、金屬插塞(plug)形成、埋入配線形成等工序中被頻繁利用的技術(例如，參照美國專利第4,944,836號說明書)。并且，最近為了使LSI得以高性能化，嘗試著利用銅合金作為配線材料。 但銅合金難以采用以往的在鋁合金配線形成中...
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