技術(shù)編號(hào)：6904257
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及制造半導(dǎo)體器件的方法，更具體涉及具有上部/下部溝道 的半導(dǎo)體器件。背景技術(shù)近來(lái)，半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)規(guī)則的減小導(dǎo)致單位存儲(chǔ)單元(unit memory cell)的尺寸減小。為了應(yīng)對(duì)單位存儲(chǔ)單元的尺寸減小，引入具有通過(guò)在有源區(qū)中垂直 布置源極和漏極而形成的上部/下部溝道的晶體管。圖lA為典型上部/下部晶體管陣列的橫截面圖，圖1B為典型上部/ 下部晶體管陣列的頂視圖。在圖1B中，放大了圖1A中的線圖案和柵極圖案。參考圖1A及圖1B，上部/下部晶體管陣列包...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。