技術編號：6890225
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及，特別涉及在應用變形硅技術的MOS型半導體器件中能夠使微細化和晶體管的特性維持并存的非對稱側壁 隔離層結構及其制造方法。背景技術使用硅(Si)的CMOS器件技術的發(fā)展支撐著今天的電子學產業(yè)，目前 為了進一步提高性能，仍然以超過迄今為止的速度的速度進行微細化。以工 藝學節(jié)點表示的Si CMOS器件的時代目前開始65nm節(jié)點的大量生產，在開 發(fā)階段，將其中心轉移至45nm節(jié)點。并且，還開始開發(fā)作為下一代的32nm 節(jié)點。這樣，隨著時代的發(fā)展，即，隨著...
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