技術編號：6886963
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。硫屬元素層的高生產量印刷和金屬間材料的使用 發(fā)明領域本發(fā)明涉及太陽能電池且更具體地涉及使用基于IB-IIIA-VIA化 合物的活性層的太陽能電池的制造。背景技術太陽能電池和太陽能組件將日光轉換為電。這些電子器件傳統(tǒng)地 使用硅(Si)作為光吸收半導體材料以相當昂貴的生產工藝制造。為 使太陽能電池更加經濟可行，已開發(fā)出如下的太陽能電池裝置結構 該結構可以廉價地利用薄膜、光吸收半導體材料，例如但不限于銅銦 鎵硫代二硒化物，Cu(In，Ga) (S，Se)2 ,也...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。