技術(shù)編號(hào)：6869751
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種使用臺(tái)階式淺溝槽隔離(STI)輪廓來(lái)形成存儲(chǔ)器件的晶體管的方法。背景技術(shù) 通常，使用諸如與非門(mén)(NAND)閃存器件的具有小單元尺寸的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件作為便攜式裝置的大容量?jī)?chǔ)存器。與非門(mén)閃存經(jīng)調(diào)適以提供小型化并降低每比特的成本，同時(shí)保持存儲(chǔ)器件的特性。對(duì)于與非門(mén)器件而言，單元區(qū)域及周邊區(qū)域中的晶體管的尺寸需減小以降低每比特的成本。然而，單元及周邊區(qū)域中的單元尺寸的減小通常會(huì)導(dǎo)致相應(yīng)晶體管性能的劣化。在吉比特級(jí)的與非門(mén)閃存中，使用0.1μm或更小的...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。