技術(shù)編號：6856762
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體元件工藝，尤其涉及一種。背景技術(shù) 隨著半導(dǎo)體工藝的線寬的不斷縮小，MOS晶體管的尺寸也不斷地朝向微型化發(fā)展，然而目前半導(dǎo)體工藝的線寬已發(fā)展至瓶頸的情況下，如何提升載流子遷移率以增加MOS晶體管的速度已成為目前半導(dǎo)體中的一大課題。在目前已知的技術(shù)中，已有使用應(yīng)變硅(strained silicon)作為襯底的MOS晶體管，其利用硅鍺(SiGe)的晶格常數(shù)與單晶硅(single crystal Si)不同的特性，使硅鍺外延層產(chǎn)生結(jié)構(gòu)上應(yīng)變而...
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