技術(shù)編號(hào)：6851031
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及電子和空穴的遷移率得到提高的半導(dǎo)體材料，尤其涉及電子和空穴的遷移率得到提高的包括含硅(Si)層的半導(dǎo)體材料。本發(fā)明還提供了用于形成該半導(dǎo)體材料的方法。背景技術(shù) 經(jīng)過(guò)三十多年，硅金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)的持續(xù)小型化已經(jīng)驅(qū)動(dòng)了全球半導(dǎo)體工業(yè)。對(duì)持續(xù)小型化的各種中斷因素已經(jīng)斷言了幾十年，但是創(chuàng)新的歷史不斷證實(shí)了摩爾定律，盡管有很多困難。然而，如今的發(fā)展表現(xiàn)出MOSFET正開始達(dá)到其傳統(tǒng)的小型化極限。在2002年更新的Internat...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。