技術(shù)編號：6844338
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及調(diào)節(jié)MIS(金屬絕緣體半導(dǎo)體)晶體管的柵極寬度的技術(shù)。背景技術(shù) MIS(金屬絕緣體半導(dǎo)體)晶體管在過去被認(rèn)為是半導(dǎo)體器件。存在MIS晶體管中包含的柵絕緣層的各種制造方法，并且一個實例是熱氧化技術(shù)，該技術(shù)利用氧分子和水分子在大約800℃或以上的溫度下進(jìn)行熱氧化處理。根據(jù)這種熱氧化技術(shù)，作為形成柵絕緣層熱氧化過程的預(yù)處理，處理以去除比如有機物、金屬和粒子等表面附著的沾染物，繼之以利用稀釋的氫氟酸和氫化水清潔，將在其上形成柵絕緣層的硅襯底(存在諸如鍺的...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。