技術編號:6838810
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術詳細信息。本實用新型是有關于一種半導體組件,且特別是有關于一種應變通道互補型場效應晶體管(strained channel complementary field-effecttransistor)。背景技術近十幾年來,隨著金氧半場效晶體管(metal-oxide-semiconductorfield effect transistor,MOSFET)尺寸的縮小,包括柵極長度與柵極氧化層厚度的縮小,已使得持續(xù)改善速度效能、密度與每單位IC(integratedcir...
注意:該技術已申請專利,請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權人授權前,僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權,增加技術思路,做技術知識儲備,不適合論文引用。