技術(shù)編號(hào):6834702
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及用于氧化鋅基發(fā)光二極管(LEDs),激光二極管(LDs)和紫外探測(cè)器等光電子器件的一種氮鋁共摻雜空穴型氧化鋅薄膜材料的制備工藝,屬于半導(dǎo)體材料領(lǐng)域。背景技術(shù) ZnO基光電器件的巨大市場(chǎng)潛力激發(fā)了ZnO材料的研究熱潮。ZnO基光電器件的核心是結(jié)型ZnO材料,而實(shí)現(xiàn)p-n結(jié)生長(zhǎng)和研制ZnO同質(zhì)及ZnO基異質(zhì)結(jié)光電器件的關(guān)鍵問(wèn)題在于解決ZnO的自補(bǔ)償和高效、可控地實(shí)現(xiàn)p型摻雜。而具有低阻、高遷移率的優(yōu)質(zhì)p型ZnO薄膜對(duì)于提高發(fā)光器件的發(fā)光效率和探測(cè)器件...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。