技術(shù)編號：6787226
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本文中討論的實施方案涉及包括化合物半導(dǎo)體器件的半導(dǎo)體器件及電源器件。背景技術(shù)近年來，已經(jīng)積極開發(fā)了通過在由藍寶石、SiC、氮化鎵(GaN)、Si等制成的襯底上依次形成GaN層和AlGaN層所獲得的并且其GaN層用作電子傳輸層的電子器件(化合物半導(dǎo)體器件)。GaN的帶隙是3.4eV，其高于Si的帶隙1.1eV和GaAs的帶隙1.4eV。因此，該化合物半導(dǎo)體器件有望在高的耐受電壓下工作。作為這樣的化合物半導(dǎo)體器件的一個示例是GaN基高電子遷移率晶體管(HEMT...
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