技術(shù)編號：6776576
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。大體來說，本發(fā)明涉及非易失性半導體存儲器，例如，電可擦除可編程只讀存儲 器(EEPROM)及快閃EEPROM,且具體來說，本發(fā)明涉及具有經(jīng)改進感測電路的非 易失性存儲器，所述經(jīng)改進感測電路可針對由于接地回路中的有限電阻而引起的源極 偏置誤差補償以施加控制柵極電壓。背景技術(shù)最近，具有電荷非易失性存儲能力的固態(tài)存儲器，尤其封裝成小波形因子卡的 EEPROM及快閃EEPROM形式的固態(tài)存儲器，己成為各種移動及手持裝置、尤其是 信息用具和消費電子產(chǎn)品中的首選存儲器...
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