技術(shù)編號(hào)：6747827
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。背景技術(shù)1.發(fā)明領(lǐng)域本發(fā)明總體上涉及集成電路存儲(chǔ)器件，確切地說涉及具有分段行修復(fù)的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件。2.相關(guān)技術(shù)的描述對(duì)諸如隨機(jī)訪問存儲(chǔ)(RAM)集成電路(例如，DRAM、SRAM等)之類半導(dǎo)體器件的測(cè)試，通常由制造者在生產(chǎn)和制造過程中完成，以找出在生產(chǎn)半導(dǎo)體器件的過程中會(huì)發(fā)生在這種器件中的缺陷和故障。缺陷可能由一些因素引起，包括諸如行和列的斷路或短路之類的粒子缺陷、顆粒污染或位缺陷。測(cè)試通常由存儲(chǔ)控制器或處理器(或采用多處理器機(jī)指定的處理器)完成，它們經(jīng)常...
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