技術(shù)編號(hào):6744793
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件,特別是涉及設(shè)定大小不同的多種補(bǔ)救單元的缺陷補(bǔ)救電路等。背景技術(shù) 作為用電學(xué)方式對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行擦除/再寫入的EEPROM的存儲(chǔ)單元,例如,可以使用圖6所示那樣的NMOS晶體管構(gòu)造的非易失性存儲(chǔ)單元MC。在p型襯底(Psub)上形成n型阱區(qū)(Nwell),然后再在其中形成p型阱區(qū)(Pwell),從而構(gòu)成二重阱構(gòu)造。在該p型阱區(qū)Pwell中,用n型擴(kuò)散層形成晶體管的源極(S)和漏極(D)。在襯底上邊,分別形成用絕緣膜進(jìn)行隔離的由第1層多晶硅...
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