技術(shù)編號(hào):6380070
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊 ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及存儲(chǔ),尤其涉及一種。背景技術(shù)目前NAND Flash主要有三種類型,分別是單層單元(Single-Level Cell,簡稱SLC)、多層單元(Multi-Level Cell,簡稱MLC)和三層單元(Triple-LevelCelI,簡稱TLC)。其中SLC能夠存儲(chǔ)lbit/cell,特點(diǎn)是存儲(chǔ)速度快、壽命長(約10萬次擦寫),但可存儲(chǔ)空間小且價(jià)格超貴;TLC能夠存儲(chǔ)3bit/cell,其特點(diǎn)是存儲(chǔ)空間大、價(jià)格便宜,但存儲(chǔ)速度慢且壽命短(僅可擦...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。
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