技術(shù)編號(hào)：6380070

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本發(fā)明涉及存儲(chǔ)，尤其涉及一種。背景技術(shù)目前NAND Flash主要有三種類型，分別是單層單元(Single-Level Cell,簡稱SLC)、多層單元(Multi-Level Cell，簡稱MLC)和三層單元(Triple-LevelCelI，簡稱TLC)。其中SLC能夠存儲(chǔ)lbit/cell，特點(diǎn)是存儲(chǔ)速度快、壽命長(約10萬次擦寫)，但可存儲(chǔ)空間小且價(jià)格超貴；TLC能夠存儲(chǔ)3bit/cell，其特點(diǎn)是存儲(chǔ)空間大、價(jià)格便宜，但存儲(chǔ)速度慢且壽命短(僅可擦...
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