技術(shù)編號(hào):6169103
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。一種,所述半導(dǎo)體測(cè)試結(jié)構(gòu)包括待測(cè)試PMOS晶體管的源極、漏極與第一測(cè)試端和第二測(cè)試端相連接,所述待測(cè)試PMOS晶體管的柵極與第三測(cè)試端相連接;加熱單元、調(diào)節(jié)電阻和控制NMOS晶體管的源極、漏極串聯(lián)形成串聯(lián)結(jié)構(gòu),所述串聯(lián)結(jié)構(gòu)的一端與第一測(cè)試端相連接,所述串聯(lián)結(jié)構(gòu)的另一端與第三測(cè)試端相連接,所述控制NMOS晶體管的柵極與第二測(cè)試端相連接。當(dāng)?shù)谌郎y(cè)試端施加負(fù)的應(yīng)力偏壓時(shí),利用所述加熱單元進(jìn)行加熱,就能模擬真實(shí)芯片中高阻器件對(duì)附近的MOS晶體管的加熱影響,使得測(cè)試...
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