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一種碲鎘汞p-on-n結(jié)構(gòu)材料p型層厚度的測(cè)量方法及應(yīng)用與流程技術(shù)資料下載

技術(shù)編號(hào):40615882

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本發(fā)明涉及碲鎘汞材料與器件技術(shù),尤其是涉及一種碲鎘汞p-on-n結(jié)構(gòu)材料p型層厚度的測(cè)量方法及應(yīng)用,可為高性能紅外探測(cè)器制備工藝提供精確的p型層厚度值。背景技術(shù)、因具有高量子效率、低暗電流以及通過(guò)調(diào)節(jié)組分可實(shí)現(xiàn)全紅外波段探測(cè)等優(yōu)點(diǎn),碲鎘汞成為當(dāng)前高性能紅外探測(cè)器制備的最重要材料。根據(jù)吸收層的種類不同,碲鎘汞紅外探測(cè)器可分為n-on-p和p-on-n兩種,吸收層分別為p型和n型碲鎘汞材料。相同摻雜濃度下,p型材料的少數(shù)載流子壽命比n型材料長(zhǎng),因此理論上n-on-p的性能可以比p-on-n更好。然...
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