技術(shù)編號：40611790
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本公開涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，尤其涉及一種測試電路和存儲(chǔ)器。背景技術(shù)、隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展，人們在制造和使用計(jì)算機(jī)等設(shè)備時(shí)，對數(shù)據(jù)的傳輸速度提出了越來越高的要求。以動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(dynamic?random?access?memory，dram)為例，為了保證其存儲(chǔ)功能的正確性，需要對存儲(chǔ)器進(jìn)行測試，例如進(jìn)行存儲(chǔ)器內(nèi)建自測試(memory?build?in?self?test，mbist)。mbist電路需要支持各種測試模式且其中的各類命令需要滿足行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)定，因此其具體的電路設(shè)計(jì)成為一種...
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