技術(shù)編號(hào):3752671
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于合成半導(dǎo)體材料的方法領(lǐng)域,尤其是涉及II - VI族水溶性硒化物量子點(diǎn)的合成。背景技術(shù)量子點(diǎn)又被稱為半導(dǎo)體納米晶體,是指包圍著有限個(gè)自由傳導(dǎo)電子的微小空間,由少量的原子所構(gòu)成。量子點(diǎn)的粒徑一般介于2-10nm之間,由于電子和空穴被量子限域,連續(xù)的能帶結(jié)構(gòu)變成具有分子特性的分立能級(jí)結(jié)構(gòu),受激后可以發(fā)射熒光?;诹孔有?yīng),量子點(diǎn)在太陽能電池,光學(xué)生物標(biāo)記,尤其在發(fā)光器件領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。目前人工光源只有高耗能的白熾燈、鹵素?zé)裟苓_(dá)到連續(xù)光譜的特性...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。