技術(shù)編號：3510388

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本發(fā)明涉及一種用于光電子中的三烷基鎵的制備方法，特別是一種。背景技術(shù) 高純?nèi)榛?，是先進的金屬有機化學(xué)氣相沉積(MOCVD)技術(shù)外延生長化合物半導(dǎo)體的重要支撐材料之一，廣泛應(yīng)用于生長GaAs、GaN、AlGaAs、GaInN等化合物半導(dǎo)體材料，在高亮度發(fā)光管、半導(dǎo)體激光器、各種波段探測器、太陽能電池等光電子器件研制和生產(chǎn)方面具有重要的應(yīng)用價值。高純?nèi)榛壍钠焚|(zhì)純度是高純?nèi)榛壴醋顬橹匾馁|(zhì)量指標(biāo)，高純?nèi)榛壍钠焚|(zhì)純度的高低直接影響所生長的化合物半導(dǎo)...
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