技術(shù)編號(hào):3462716
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及強(qiáng)連接多晶氧化物超導(dǎo)體和氧化物超導(dǎo)體的復(fù)合物。本發(fā)明還涉及制造強(qiáng)連接多晶氧化物超導(dǎo)體制品的方法。多晶的、任意取向的氧化物超導(dǎo)體呈現(xiàn)的臨界電流密度比單晶的或高度定向材料的臨界電流密度小幾個(gè)數(shù)量級(jí)。臨界電流密度的減低(如橫過任意取向材料的晶粒界面所測(cè)得的那樣)起因于晶界雜質(zhì)或晶界失配。橫過晶粒界面和(尤其是)在有磁場(chǎng)的情況下所測(cè)量的臨界電流密度的降低被認(rèn)為是“弱連接”性能。晶粒校直或結(jié)晶學(xué)織構(gòu)已被證明能減輕某些氧化物超導(dǎo)體的弱連接性能和能增強(qiáng)強(qiáng)連接性...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。