技術(shù)編號：3425486
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及材料的濺射。特別地，本發(fā)明涉及在等離子體濺射靶的背部中的磁控 管的掃描路徑的控制。背景技術(shù)濺射(或稱為物理汽相沉積(PVD))是在半導(dǎo)體集成電路的制造中沉積金屬及相 關(guān)材料層的最流行方法。濺射的商用最重要形式是等離子體濺射，其在濺射靶的背部中使 用一磁控管以增加等離子體密度及增加濺射率。一典型磁控管包括一磁性的磁極，其圍繞 相反極性的另一磁極。幾乎固定寬度及形成一閉合回路的縫隙分離兩磁極且設(shè)定一鄰近該 靶的濺射面的閉合等離子體軌跡。磁控管濺射最初...
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