技術(shù)編號：2863705
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種低維納米材料原位力電性能與顯微結(jié)構(gòu)測量的傳感器及其制作方法，更具體的是彎曲變形狀態(tài)下原位動態(tài)的低維納米材料的顯微結(jié)構(gòu)-力電性能相關(guān)性測量的傳感器及制作方法。背景技術(shù)低維納米材料作為器件的基本結(jié)構(gòu)單元，承載著信息傳輸，存儲等重要功能。在半導(dǎo)體及信息工業(yè)中應(yīng)用到的低維納米材料，在應(yīng)力場的作用下，研究低維納米材料的顯微結(jié)構(gòu)變化，以及顯微結(jié)構(gòu)變化之后，對器件單元內(nèi)低維納米材料力學(xué)性能和電荷輸運性能等的影響，這對器件中各個單元的功能、效率、存儲密度等實...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。