技術(shù)編號：12180179
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。半導(dǎo)體裝置的制造方法[相關(guān)申請案]本申請案享有以日本專利申請案2015-173209號(申請日：2015年9月2日)作為基礎(chǔ)申請案的優(yōu)先權(quán)。本申請案通過參照該基礎(chǔ)申請案而包含基礎(chǔ)申請案的全部內(nèi)容。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明的實施方式涉及一種半導(dǎo)體裝置的制造方法。背景技術(shù)存在具有n型半導(dǎo)體區(qū)域與p型半導(dǎo)體區(qū)域交替設(shè)置的超級結(jié)構(gòu)造(以下稱為SJ構(gòu)造)的半導(dǎo)體裝置。通過設(shè)置SJ構(gòu)造，能夠提高半導(dǎo)體裝置的耐電壓。此時，n型半導(dǎo)體區(qū)域所含的n型雜質(zhì)量與p型半導(dǎo)體區(qū)域所含的p型雜質(zhì)量的差越小，越能提高半導(dǎo)體裝置的耐電壓...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。