技術編號：11203146
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及一種MOSFET結構，具體涉及一種疊層電場調(diào)制高壓MOSFET結構及其制作方法。背景技術金屬-氧化物半導體場效應晶體管，簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor,MOSFET)是一種可以廣泛使用在高壓大功率領域的場效應晶體管(field-effecttransistor)。傳統(tǒng)的功率半導體器件MOSFET的阻斷電壓和正向?qū)娮栌谢ハ嘀萍s作用，增大外延層厚度，減小摻雜濃度能夠提高阻斷電壓，但同時也增大了導通電阻...
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